這兩個方面的技術(shù)突破，使得國星光電COB燈具壽命及光品質(zhì)有保證。
醫(yī)療設(shè)備
COB光源2、COB的第二個缺點是光效。由于在一個狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去醫(yī)療設(shè)備
COB光源
小結(jié)
COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實際工作中芯片的結(jié)溫遠低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會導致發(fā)光面熱量較為集中，導致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測量值偏高。。而對于SMD，只要間距合理，就不存在這個問題(見圖2)。正是這個全反射使得COB的發(fā)光效率從一開始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時，封裝材料吸收水平方向光線所帶來的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。
到2014年，這一局面有所改觀，國內(nèi)主流封裝廠對COB光源技術(shù)的研發(fā)日益成熟，市場對COB光源的需求日益旺盛，COB光源的性價比也日趨合理。
醫(yī)療設(shè)備
COB光源COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進行接觸測量COB在商照領(lǐng)域優(yōu)勢明顯白光器件事業(yè)部研發(fā)部副主任謝志國博士今年，COB在商業(yè)照明領(lǐng)域發(fā)展迅速，配合反光杯或透鏡形式，已經(jīng)成為目前定向照明主流解決方案，且?guī)砹斯馄焚|(zhì)的提升，是目前單個大功率器件無法匹敵的。此外，材料、制造設(shè)備的改進與COB的發(fā)展相輔相成，也加速了COB性價比的提升，顯現(xiàn)出其在商業(yè)照明領(lǐng)域的優(yōu)勢。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內(nèi)受到越來越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應(yīng)用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。
而醫(yī)療設(shè)備COB光源倒裝技術(shù)也可以細分為兩類，一類是在藍寶石芯片基礎(chǔ)上醫(yī)療設(shè)備COB光源倒裝，藍寶石襯底保留，利于散熱，但是電流密度提升并不明顯;另一類是醫(yī)療設(shè)備COB光源倒裝結(jié)構(gòu)并剝離了襯底材料，可以大幅度提升電流密度。
現(xiàn)在國產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產(chǎn)和進口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應(yīng)當前商照市場需求。
