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COB光源生產LED集成光源和
COB光源有區別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的
COB光源生產
光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結構LEDp、n電極在LED的同一側，電流須橫向流過n-GaN層，導致電流擁擠，局部發熱量高，限制了驅動電流；其次，由于藍寶石襯底導熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。。而
COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的
COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。圖1：熱阻結構示意圖1、常用溫度測量方法比較常用的溫度傳感器類型有熱電偶、熱電阻、紅外輻射器等。熱電偶是由兩條不同的金屬線組成，一端結合在一起，該連接點處的溫度變化會引起另外兩端之間的電壓變化，通過測量電壓即可反推出溫度。熱電阻利用材料的電阻隨材料的溫度變化的機理，通過間接測量電阻計算出溫度。
COB光源生產2015年，COB再次“火”了起來。如果說COB的前兩次發展推動了LED行業，那么這次純粹就是為了與舊傳統“接軌”，本質上是一種倒退。誠然，COB是解決了“鬼影”問題，可是此前的發展證明COB在這方面是弊大于利的表2：樣品光電參數3、
COB光源的熱分布機理從上節的測溫實例中可知，
COB光源的膠體溫度最高可達125℃，而目前大部分芯片能承受的最高結溫不能超過125℃，很多燈具廠商認為發光面的溫度超過125℃，芯片的溫度應該會更高，繼而擔憂
COB光源的可靠性。。雖然燈珠性能的大幅提升為COB封裝創造了良好的技術基礎，使其終于滿足了市場的應用需求。這一切看上去很美好，但是COB產品形態的底層邏輯問題，使得再好的技術也彌補不了自身缺陷。而且正是基于良好技術在客觀上的誘使，導致對LED特性不熟悉的設計者在錯誤的道路上越滾越遠。
COB光源生產它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發光芯片的結溫；COB光源生產的可靠性與光源的溫度密切相關，由于COB光源采用多顆芯片高密度封裝，其溫度分布、測量與SMD光源有明顯不同。本文將介紹COB光源的溫度分布特點與其內在機理，并對常用的溫度測量方法進行比較。二、COB光源的溫度分布
